Tak limitující bude především kapacita aktivních diskrétních prvků.
S tou se dá bojovat výběrem vhodného aktivního prvku v dané pozici (BJT/MOSFET), provozem aktivního prvku (nesaturovat BJT, zapojení, nap. napětí) a proudem (větší proud = větší rychlost sepnutí) -> takže dalším limitujícím faktorem bude spotřeba. Některé komponenty v IO die celkem běžné (BJT s více emitory, MOSFETy s více hradly, čtyřelektrodové MOSFETy atd.) se budou muset obcházet komplikovanějšími zapojeními s více diskréty, pasivy atd.
Příklad při použití běžného MOSFET smetí (2N7002, BSS138,...): Pokud daná funkce během jednoho hodinového cyklu vyžaduje, aby signál prošel přes pět tranzistorů v kaskádě, tak při worstcase 200 ns na tranzistor je max clk hned 1 MHz. A to pět tranzistorů nemusí být nic extrémního (nějaká logická funkce + latch/FF).
Co se týče vzdálenosti, tak tam se bude spíše bojovat se signálovou integritou, fyzickým propojením prvků (nějaké vícevrstvé - stohovatelné? - 3D uspořádání) a z toho pramenícím požadavkem na účinné chlazení.
Třeba při hodně optimistických 8 x SOT23 na 1 cm3 (i s PCB, pasivy apod.) jsme při 100k tranzistorech na krychli o hraně čtvrt metru. Při 1 mW avg na tranzistor máme k chlazení hnedle 100 W. Ale co to je mW na diskrétní tranzistor který se příliš nefláká, třeba 200 uA avg při 5 V. To není zrovna moc náboje na tahání za 30pF gate + spoj v rytmu hodinového kmitočtu. Dáme mA a jsme na 500 W. Atd.
A to se bavíme jen o CPU.