Než smažou ten necropost cizím jazykem, tak dodám, že jednotlivé DRAM čipy mají extrémě nízkou tepelnou setrvačnost - to znamená, že zahřát je z 40 na 80 stupňů a zpět je otázka desítky sekund. (A pasivním heatsinkem to bude) to nebudu o moc rychlejší,
Mimochodem, pájené RAM (nebo LPDDR nebo integrované LunárníLake) , testují se nějak extra důkladně na problémovost? Třeba včetně průbehu testu za vysokých teplot (tedy v podání Intelu i 113°C, protože se snaží dál mlátit slámů zvyšováním Tj.)?